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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3d chiplet

未來存儲產(chǎn)品將導入Chiplet技術(shù)

  • 隨著人工智能、云計算等技術(shù)的快速發(fā)展，全球存儲市場競爭日益激烈，存儲芯片市場正迎來前所未有的變革。據(jù)悉，三星電子、SK海力士等存儲巨頭紛紛加大在新技術(shù)領(lǐng)域的投入，以應(yīng)對市場的快速變化和競爭壓力，搶占市場份額和商業(yè)機會。在這些新技術(shù)中，CXL和定制芯片、chiplet技術(shù)尤為引人關(guān)注，成為了各大存儲大廠競相角逐的新戰(zhàn)場。綜合韓媒報道，SK海力士副總裁文起一在學術(shù)會議上稱，Chiplet芯粒/小芯片技術(shù)將在2~3年后應(yīng)用于DRAM和NAND產(chǎn)品。值得注意的是，SK海力士正在內(nèi)部開發(fā)Chiplet技術(shù)，不僅加入
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在 Chiplet 時代如何規(guī)劃芯片布局

  • 自動緩解熱問題成為異構(gòu)設(shè)計中的首要任務(wù)。
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是德科技推出System Designer和Chiplet PHY Designer，優(yōu)化基于數(shù)字標準的仿真工作流程

  • ●? ?借助由仿真驅(qū)動的虛擬合規(guī)性測試解決方案，采用更智能、更精簡的工作流程，提高?PCIe?設(shè)計的工作效率●? ?具有設(shè)計探索和報告生成能力，可加快小芯片的信號完整性分析以及?UCIe?合規(guī)性驗證，從而幫助設(shè)計師提高工作效率，縮短新產(chǎn)品上市時間System Designer for PCIe?是一種智能的設(shè)計環(huán)境，用于對最新PCIe Gen5?和?Gen6?系統(tǒng)進行建模和仿真是德科技（
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美國宣布撥款16億美元，激勵先進封裝研發(fā)

  • 當?shù)貢r間周二，美國商務(wù)部發(fā)表官方聲明，宣布將撥款高達16億美元用于加速國內(nèi)半導體先進封裝的研發(fā)。此舉是美國政府2023年公布的國家先進封裝制造計劃NAPMP的一部分。聲明中稱，該筆資金來源于2022年《芯片與科學法案》520億美元授權(quán)資金的一部分，重點支持企業(yè)在芯片封裝新技術(shù)領(lǐng)域進行創(chuàng)新。美國政府計劃通過獎勵金的形式向先進封裝領(lǐng)域的創(chuàng)新項目提供每份不超過1.5億美元的激勵。且項目需與以下五個研發(fā)領(lǐng)域中的一個或多個相關(guān)：1、設(shè)備、工具、工藝、流程集成；2、電力輸送和熱管理；3、連接器技術(shù)，包括光子學和射頻；
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曾號稱碾壓英偉達！壁仞科技：單個國產(chǎn)AI芯片不強但數(shù)量多、軟件加持就不一樣了

  • 7月10日消息，近日，壁仞科技副總裁兼AI軟件首席架構(gòu)師丁云帆在談及計算瓶頸時表示，解決算力瓶頸問題需要從三個維度考慮：硬件集群算力、軟件有效算力、異構(gòu)聚合算力。他認為，做好這三個維度的工作，即使國產(chǎn)AI芯片單個算力不強，也能通過綜合手段提升算力，滿足國內(nèi)大模型訓練的需求?！拔覀?020年設(shè)計的第一代產(chǎn)品里就做了chiplet架構(gòu)，國外巨頭在今年發(fā)布的產(chǎn)品如英偉達B100和英特爾Gaudi 3也采用了同樣的思路，他們用最先進的制程，但也需要chiplet來突破摩爾定律限制來提升單卡算力?！倍≡品f道。據(jù)他
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內(nèi)存制造技術(shù)再創(chuàng)新，大廠新招數(shù)呼之欲出

  • 制造HBM難，制造3D DRAM更難。
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鎧俠公布藍圖：2027年實現(xiàn)1000層3D NAND堆疊

  • 近日，據(jù)媒體報道，日本存儲芯片廠商鎧俠公布了3D NAND閃存發(fā)展藍圖，目標2027年實現(xiàn)1000層堆疊。鎧俠表示，自2014年以來，3D NAND閃存的層數(shù)經(jīng)歷了顯著的增長，從初期的24層迅速攀升至2022年的238層，短短8年間實現(xiàn)了驚人的10倍增長。鎧俠正是基于這種每年平均1.33倍的增長速度，預(yù)測到2027年達到1000層堆疊的目標是完全可行的。而這一規(guī)劃較此前公布的時間早了近3年，據(jù)日本媒體今年4月報道，鎧俠CTO宮島英史在71屆日本應(yīng)用物理學會春季學術(shù)演講會上表示，公司計劃于2030至2031
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SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破：良品率已達56.1%

  • 6月25日消息，據(jù)媒體報道，SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上，重磅發(fā)布了關(guān)于3D DRAM技術(shù)的最新研究成果，展示了其在該領(lǐng)域的深厚實力與持續(xù)創(chuàng)新。據(jù)最新消息，SK海力士在3D DRAM技術(shù)的研發(fā)上取得了顯著進展，并首次詳細公布了其開發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術(shù)的開發(fā)，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%，這一數(shù)據(jù)意味著在單個測試晶圓上，能夠成功制造出約1000個3D DRAM單元，其中超過一半（即561個）為良
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西門子推出Calibre 3DThermal軟件，持續(xù)布局3D IC市場

  • ●? ?Calibre 3DThermal?可為?3D IC?提供完整的芯片和封裝內(nèi)部熱分析，幫助應(yīng)對從芯片設(shè)計和?3D?組裝的早期探索到項目?Signoff?過程中的設(shè)計與驗證挑戰(zhàn)●? ?新軟件集成了西門子先進的設(shè)計工具，能夠在整個設(shè)計流程中捕捉和分析熱數(shù)據(jù)西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日宣布推出?Calibre??3DThermal?軟件，可針對?3D?
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邁向 3D 內(nèi)存：三星電子計劃 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型開發(fā)

  • IT之家 5 月 21 日消息，綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報道，三星電子執(zhí)行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會上表示該企業(yè)計劃在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領(lǐng)域商業(yè)化研究集中在兩種結(jié)構(gòu)上：一種是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶體管） DRAM；另一種是 VS-CAT（Vertical Stacke
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SK海力士試圖用低溫蝕刻技術(shù)生產(chǎn)400多層的3D NAND

  • 在-70°C 下工作的蝕刻工具有獨特的性能。
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5G加速 聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案

  • 聯(lián)電昨（2）日所推出業(yè)界首項RFSOI 3D IC解決方案，此55奈米RFSOI制程平臺上所使用的硅堆棧技術(shù)，在不損耗射頻（RF）效能下，可將芯片尺寸縮小逾45％，聯(lián)電表示，此技術(shù)將應(yīng)用于手機、物聯(lián)網(wǎng)和AR/VR，為加速5G世代鋪路，且該制程已獲得多項國際專利，準備投入量產(chǎn)。 聯(lián)電表示，RFSOI是用于低噪聲放大器、開關(guān)和天線調(diào)諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著新一代智能手機對頻段數(shù)量需求的不斷增長，聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對晶圓的鍵合技術(shù)，并解決了芯片堆棧時常見的射頻干擾問題，將裝置中
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聯(lián)電：3D IC解決方案已獲得客戶采用，預(yù)計今年量產(chǎn)

  • 近日，晶圓代工大廠聯(lián)電舉行法說會，公布2024年第一季財報，合并營收546.3億元新臺幣，較2023年第四季549.6億元新臺幣減少0.6%，較2023年第一季542.1億元新臺幣成長0.8%。第一季毛利率達30.9%，歸屬母公司凈利104.6億元新臺幣。聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示，由于電腦領(lǐng)域需求回升，第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長4.5%。盡管產(chǎn)能利用率微幅下降至65%，成本控管及營運效率提升，仍維持相對穩(wěn)健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務(wù)器矽中介層需求推動下，特殊制程占總營收
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如何減少光學器件的數(shù)據(jù)延遲

  • 光子學和電子學這兩個曾經(jīng)分離的領(lǐng)域似乎正在趨于融合。
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Zivid最新SDK 2.12:捕獲透明物體，最先進的點云

  • Zivid最新SDK2.12正式發(fā)布，是對我們3D視覺相機的一次絕佳更新。本次發(fā)布中，我們?nèi)碌腛mni Engine有了更驚人的性能提高。Omni v2提供了更長的工作距離，速度更快，點云質(zhì)量更好，特別是在透明物體上。升級要點· Omni Engine v.2我們用于捕捉透明度的最先進的3D技術(shù)已經(jīng)獲得了重大升級。Omni v2顯著減少了與成像透明物體相關(guān)的點云偽影和錯誤并且可以比以前快約35%地生成這些高質(zhì)量的點云。當在高端GPU上運行時，我們推薦的預(yù)設(shè)和配置的捕獲時間從490毫秒減少到約315毫秒。
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3d chiplet介紹

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